清洗并甩干晶圆表面、涂光刻胶、软烘焙加热光刻胶部分蒸发、精确对准掩膜版与晶圆并曝光光刻胶、祛除非聚合的光刻胶、硬烘焙光刻胶溶剂继续蒸发、检查表面的对准和缺陷、刻蚀、祛除光刻胶然后进行最终检查。
这其中每一个步骤都必须精密细致，任何一点的瑕疵都可能导致工艺的良率降低，甚至是直接失败。
翟竖也听出来了，沪州微电子的工程师们还真是怨念满满，这么多的流程，现在出了问题，出在哪个环节都不知道。
就算品质较好的那台试验品，实验室也只有百分之八十的良品率，那真要是生产环境呢？
肯定会更低吧，实验室可以不计代价的打造试验产线，但工厂要评估建设成本，肯定不能那么做。
不过……
翟竖略一思虑，整个人瞬间就精神了，能造出一台来，实验室能够试生产，那证明设计方案和思路是没有问题的。
至于为什么良品率差距这么大，这不重要，重要的是有与无的问题，剩下的都可以慢慢来。
193n准分子激光光源，28n光刻精度，按照台积电的经验，通过多重曝光等技术已经完全可以制造7n程的芯片了！
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